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不二越機械工業

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技術動向

SiCウェハの高速研磨技術の開発

不二越機械は国立研究開発法人産業技術総合研究所と株式会社ミズホと共同でSiCウェハの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発しました。特に低速度だった鏡面化工程では従来の12倍の研磨速度が得られ、枚様式加工法の鏡面研削工程に匹敵する新たなバッチ式加工技術を確立しました。

本技術は、弊社の高速回転研磨装置”SLM-140H”に、株式会社ミズホの高速回転対応砥石定盤 “SHINE LAP PLATE Type HS” を搭載した固定砥粒方式のラッピング技術です。従来のスラリーを使った研磨とは異なり加工液は水だけで研磨できることから環境負荷も少なく、高回転研磨の課題であった、遠心力によるスラリーの飛散や摩擦熱による温度上昇が抑えられ、大口径SiCウェハ量産加工プロセスの高速化と低コスト化の両立が実現可能です。

弊社では量産対応の高速回転研磨装置の開発を進めています。

 

産業技術総合研究所ホームページリンク

 

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6インチSiCウェハの加工例

 

 

 

 

 

研磨装置の紹介

研究開発用 高速回転研磨装置 SLM-140H

難加工材料の高速研磨に対応!

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装置概要

●定盤の回転速度最高1000[rpm]に対応。

●ラッピングからポリシング加工工程でのサファイア、SiC、GaNなど様々な素材に対応。

●研磨方式は、1定盤1ヘッド(Max4inch)。

●研磨中の摩擦係数のモニタリング機能搭載。

●各種センサのデータロギング機能搭載。

●スラリー飛散防止カバー採用。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

弊社では、SiC、GaNなどのパワー半導体材料の高能率加工技術の開発と、大口径化、量産化対応へ向けた技術開発を進めています。